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        DDR2 復(fù)位測試 CLK測試 DQS測試

        單價(jià): 面議
        發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨
        所在地: 直轄市 北京
        有效期至: 長期有效
        發(fā)布時(shí)間: 2023-12-16 11:17
        最后更新: 2023-12-16 11:17
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        談到了突發(fā)長度時(shí)。如果BL=4,那么也就是說一次就傳送4×64bit的數(shù)據(jù)。但是,如果其中的第二筆數(shù)據(jù)是不需要的,怎么辦?還都傳輸嗎?為了屏蔽不需要的數(shù)據(jù),人們采用了數(shù)據(jù)掩碼(Data I/O Mask,簡稱DQM)技術(shù)。通過DQM,內(nèi)存可以控制I/O端口取消哪些輸出或輸入的數(shù)據(jù)。這里需要強(qiáng)調(diào)的是,在讀取時(shí),被屏蔽的數(shù)據(jù)仍然會(huì)從存儲(chǔ)體傳出,只是在“掩碼邏輯單元”處被屏蔽。DQM由北橋控制,為了**屏蔽一個(gè)P-Bank位寬中的每個(gè)字節(jié),每個(gè)DIMM有8個(gè)DQM 信號(hào)線,每個(gè)信號(hào)針對(duì)一個(gè)字節(jié)。這樣,對(duì)于4bit位寬芯片,兩個(gè)芯片共用一個(gè)DQM信號(hào)線,對(duì)于8bit位寬芯片,一個(gè)芯片占用一個(gè)DQM信號(hào),而對(duì)于 16bit位寬芯片,則需要兩個(gè)DQM引腳。


        在數(shù)據(jù)讀取完之后,為了騰出讀出放大器以供同一Bank內(nèi)其他行的尋址并傳輸數(shù)據(jù),內(nèi)存芯片將進(jìn)行預(yù)充電的操作來關(guān)閉當(dāng)前工作行。還是以上面那個(gè)Bank示意圖為例。當(dāng)前尋址的存儲(chǔ)單元是B1、R2、C6。如果接下來的尋址命令是B1、R2、C4,則不用預(yù)充電,因?yàn)樽x出放大器正在為這一行服務(wù)。但如果地址命令是B1、R4、C4,由于是同一Bank的不同行,那么就必須要先把R2關(guān)閉,才能對(duì)R4尋址。從開始關(guān)閉現(xiàn)有的工作行,到可以打開新的工作行之間的間隔就是tRP(Row Precharge command Period,行預(yù)充電有效周期),單位也是時(shí)鐘周期數(shù)。


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