| 單價： | 面議 |
| 發(fā)貨期限： | 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨 |
| 所在地： | 直轄市 北京 |
| 有效期至： | 長期有效 |
| 發(fā)布時間： | 2023-12-16 05:11 |
| 最后更新： | 2023-12-16 05:11 |
| 瀏覽次數(shù)： | 102 |
| 采購咨詢： |
請賣家聯(lián)系我
|
根據(jù)溫度自動自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）
為了保證所保存的數(shù)據(jù)不丟失，DRAM必須定時進行刷新，DDR3也不例外。不過，為了的節(jié)省電力，DDR3采用了一種新型的自動自刷新設計（ASR，Automatic Self-Refresh）。當開始ASR之后，將通過一個內(nèi)置于DRAM芯片的溫度傳感器來控制刷新的頻率，因為刷新頻率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數(shù)據(jù)不丟失的情況下，盡量減少刷新頻率，降低工作溫度。不過DDR3的ASR是可選設計，并不見得市場上的DDR3內(nèi)存都支持這一功能，因此還有一個附加的功能就是自刷新溫度范圍（SRT，Self-Refresh Temperature）。通過模式寄存器，可以選擇兩個溫度范圍，一個是普通的的溫度范圍（例如0℃至85℃），另一個是擴展溫度范圍，比如到 95℃。對于DRAM內(nèi)部設定的這兩種溫度范圍，DRAM將以恒定的頻率和電流進行刷新操作。
局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）
這是DDR3的一個可選項，通過這一功能，DDR3內(nèi)存芯片可以只刷新部分邏輯Bank，而不是全部刷新，從而限度的減少因自刷新產(chǎn)生的電力消耗。這一點與移動型內(nèi)存（Mobile DRAM）的設計很相似。
點對點連接（P2P，Point-to-Point）
這是為了提高系統(tǒng)性能而進行了重要改動，也是與DDR2系統(tǒng)的一個關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中，一個內(nèi)存控制器將只與一個內(nèi)存通道打交道，而且這個內(nèi)存通道只能一個插槽。因此內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點對點（P2P，Point-to-Point）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（P22P，Point-to-two-Point）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負載。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（**內(nèi)存緩沖器）。不過目前有關(guān)DDR3內(nèi)存模組的標準制定工作剛開始，引腳設計還沒有終確定。
