MPR: Multi-purpose register. 多用途寄存器。
MPR的功能是讀出一個(gè)預(yù)先設(shè)定的系統(tǒng)時(shí)序校準(zhǔn)比特序列。
為了使能MPR功能，需要在MRS的寄存器MR3的A2位寫1，并且在此之前需要將ddr3的所有bank處于idle狀態(tài)； 一旦MPR被使能后，任何RD和RDA的命令都會(huì)被引入到MPR寄存器中，當(dāng)MPR寄存器被使能后， 除非MPR被禁止（MR3的A2=0），否則就只有RD和RDA被允許。
在MPR被使能的時(shí)候，RESET功能是被允許的。
Precharge Power Down: bank在in-progress命令后關(guān)閉Active Power Down:bank在in-progress命令后依然打開Idle：所有的bank必須預(yù)先充電，所有時(shí)序滿足，DRAM的ODT電阻，RTT必須為高阻。
CWL:CAS write latency. 以時(shí)鐘周期為單位，在內(nèi)部寫命令和位輸入數(shù)據(jù)的時(shí)間延時(shí)，該單位始終為整數(shù)。
在操作過程中，所有的寫延時(shí)WL被定義為AL（Additive Latency）+CWL。
Rtt: Dynamic ODT.DDR3引入的新特性。
在特定的應(yīng)用環(huán)境下為了更好的在數(shù)據(jù)總線上改善信號(hào)完整性， 不需要特定的MRS命令即可以改變終結(jié)強(qiáng)度（或者稱為終端匹配）。
在MR2中的A9和A10位設(shè)置了Rtt_WR。
Ddr3中， 有兩種RTT值是可以選擇的，一種是RTT_Nom,另一種是RTT_WR;Rtt_Nom是在沒有寫命令的時(shí)候被選擇的， 當(dāng)有了寫命令后，ODT就會(huì)變成Rtt_wr，當(dāng)寫命令結(jié)束后，又會(huì)回到Rtt_nom。
也就是說，RTT在ODT使能后，出現(xiàn)， 當(dāng)總線上沒有數(shù)據(jù)的時(shí)候，采用的RTT值為RTT_nom;而當(dāng)總線上有了數(shù)據(jù)后，要求此時(shí)的ODT的值為Rtt_wr。
具體的DDR3的ODT產(chǎn)生時(shí)序見圖2。
當(dāng)ODT被使能后，必須要保持高電平ODTH4個(gè)時(shí)鐘周期才可以有效； 如果寫命令被放入寄存器并且ODT是高，那么ODT必須保持ODTH4或者ODTH8，這樣ODT才可以有效。
