GAGG: | 閃爍晶體 |
尺寸: | 帶刻度 |
加工參數(shù): | 雙面拋光 |
單價(jià): | 面議 |
發(fā)貨期限: | 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨 |
所在地: | 江蘇 南京 |
有效期至: | 長(zhǎng)期有效 |
發(fā)布時(shí)間: | 2024-05-09 03:23 |
最后更新: | 2024-05-09 03:23 |
瀏覽次數(shù): | 119 |
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簡(jiǎn)介:
鈰離子摻雜的釓鋁鎵石榴石晶體簡(jiǎn)稱Ce:GAGG晶體,其化學(xué)式為Ce:Gd3Al2Ga3O12,該晶體具有密度高、透過率高、有效原子序數(shù)大、光產(chǎn)額高、衰減時(shí)間快、能量分辨率好、物化性能穩(wěn)定、無自輻射,無潮解,加工特性好等優(yōu)異的性能,因此其被認(rèn)為是眾多氧化物閃爍晶體中最youxiu的晶體之一。
Ce:GAGG晶體在540nm波段有較高的光輸出響應(yīng),使其與硅光電二極管能夠極好地匹配。該晶體可大尺寸生長(zhǎng),加工性能好,能夠加工最高128通道的陣列產(chǎn)品,最小像素支持0.3mm。
Ce:GAGG晶體良好的閃爍性能及物化特性,使其廣泛用于高能粒子探測(cè)、 核物理、 醫(yī)學(xué)成像、 安檢、 工業(yè)探測(cè)等領(lǐng)域。尤其是其快衰減特性及低余暉特性使得在PET影像系統(tǒng),人體、工業(yè)、無損檢測(cè)、安檢及X-CT等其他成像應(yīng)用領(lǐng)域得到極為廣泛的使用。