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        DDR16M復(fù)位測試,內(nèi)存信號測試,眼圖測試,SI完整性測試

        單價: 面議
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        所在地: 直轄市 上海
        有效期至: 長期有效
        發(fā)布時間: 2023-12-21 07:51
        最后更新: 2023-12-21 07:51
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        DDR16M復(fù)位測試,內(nèi)存信號測試,眼圖測試,SI完整性測試


        DDR存儲器電氣特性驗證
        幾乎每一個電子設(shè)備,從智能手機(jī)到服務(wù)器,都使用了某種形式的RAM存儲器。盡管閃存NAND繼續(xù)流行(由于各式各樣的消費電子產(chǎn)品的流行),由于SDRAM為相對較低的每比特成本提供了速度和存儲很好的結(jié)合,SDRAM仍然是大多數(shù)計算機(jī)以及基于計算機(jī)產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù)。DDR是雙數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存,已經(jīng)成為今天存儲器技術(shù)的選擇。DDR技術(shù)不斷發(fā)展,不斷提高速度和容量,同時降低成本,減小功率和存儲設(shè)備的物理尺寸。
        隨著時鐘速率和數(shù)據(jù)傳輸速率不斷增加和性能的提高,設(shè)計工程師必須保證系統(tǒng)的性能指標(biāo),或確保系統(tǒng)內(nèi)部存儲器和存儲器控制設(shè)備的互操作性,存儲器子系統(tǒng)的模擬信號完整性已成為設(shè)計工程師越來越多重點考慮的問題。許多性能問題,甚至在協(xié)議層發(fā)現(xiàn)的問題,也可以追溯到信號完整性問題上。因此,存儲器的模擬信號完整性驗證已經(jīng)成為很多電子設(shè)計驗證關(guān)鍵的一步。


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