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        DDR測試,抖動測試,時序測試,高速電路板測試

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        所在地: 直轄市 上海
        有效期至: 長期有效
        發布時間: 2023-12-21 02:55
        最后更新: 2023-12-21 02:55
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        DDR測試,抖動測試,時序測試,高速電路板測試


        channel > DIMM > rank > chip > bank > row/column
        channel (對應多個DDR控制器)> DIMM(內存插槽) > rank(一次訪問位寬決定,也成物理bank) > chip(1個chip大多是4bit/8bit/16bit等,組成一個rank,配合完成一次訪問的位寬要求。這就是顆粒) > bank(顆粒里的logic-bank,DDR3一般對應8個bank存儲體) > row/column
        DDR頁和行的概念理解
        DDR logic bank的row就是行,對應行地址選中等。
        DDR頁的概念,是針對刷新或者訪問來說的,舉例,一個rank可能有4個chip組成,一個chip里可能有8個bank,每一個bank有N個行。頁指的是一個rank里每個chip,所有bank的一個行地址;注意不是一行,是多行,行數是chip數目*bank數目。
        DDR頁,可以講為一個rank里每個chip的行地址
        (ps:在一個rank里,每個chip的地址是相同的。因為多個chip組成一個總數據位寬。DDR接口的cs信號,叫chip select,其實是rank(一組chip)的 select)。
        DDR頁的概念,后續會講到頁命中、頁miss等,跟cache page原理一樣。
        SDRAM開始是時鐘下降沿采樣,數據傳輸速率和頻率是1:1關系,即一個周期可傳輸1bit數據;


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