廣電網(wǎng)絡(luò)96芯光纖分纖箱

廣電網(wǎng)絡(luò)96芯光纖分纖箱

光纖通信技術(shù)的發(fā)展大大的推動(dòng)了信息傳遞的發(fā)展，對(duì)于信息化時(shí)代的到來起到了至關(guān)重要的推動(dòng)作用。本文以探討光纖通信及其相關(guān)概念為出發(fā)點(diǎn)，分別從光纖通信技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用和未來趨勢(shì)這兩個(gè)方面進(jìn)行了著重探討，并總結(jié)了開展本文研究的重要意義，以完成對(duì)光纖通信技術(shù)發(fā)展應(yīng)用及展望研究。光纖是一種重要的媒介，可以實(shí)現(xiàn)光傳播的低損耗，這對(duì)于還原輸入信息，實(shí)現(xiàn)信息低損失傳遞具有重要意義。由于我國光纖通信技術(shù)的發(fā)展正處于起步階段，在其發(fā)展中還存在這一定的不足，這些問題的存在，的阻礙了光纖通信技術(shù)的發(fā)展。基于對(duì)我國現(xiàn)階段光纖通信技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀有所把握后，筆者將對(duì)光纖通信技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用和未來發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行討論，以求為光纖通信技術(shù)研究的相關(guān)學(xué)者和工作人員提供切實(shí)、可行的參考建議。電力通信系統(tǒng)中需要傳遞的信息量不是很高，但對(duì)傳輸效率有較高的要求，信息的傳輸應(yīng)盡可能縮短時(shí)間，實(shí)現(xiàn)信息的同步傳送。電力系統(tǒng)的信息傳遞既需要語音信號(hào)和繼電保護(hù)裝置的參與，又離不開對(duì)電力負(fù)荷等數(shù)據(jù)的檢測(cè)，此類數(shù)據(jù)對(duì)于時(shí)效性有很高的要求，光纖通信憑借其先進(jìn)的信息傳遞能力應(yīng)用于電力系統(tǒng)中是必然趨勢(shì)。

結(jié)構(gòu)特

1、箱體全封閉式結(jié)構(gòu)，外形美觀。

2、箱體采用塑料材料，防潮、防水、防塵、抗腐蝕耐老化 ，防護(hù)等級(jí)達(dá)到IP54。3、具有光纜/皮線光纜固定、熔接、盤存、分光等功能。

4、采用插片式光分路器，配置更靈活自由。

5、光纜，尾纖，跳纖的進(jìn)出線各自獨(dú)立，互不干擾。

6、插片式光分路器可翻轉(zhuǎn)操作，施工、維護(hù)方便快捷。

7、箱體安裝方式可采用掛墻或抱桿安裝方式。

1、環(huán)境要求

工作溫度： 5℃～ 40℃

相對(duì)濕度：≤85%（ 30℃）

大氣壓力：70KPa～106Kpa

2、主要技術(shù)指標(biāo)　插入損耗：≤0.2dB　UPC回波損耗：≥50dB　APC回波損耗：≥60dB　插拔耐久性壽命：＞1000次3、防雷技術(shù)指標(biāo)箱體接地裝置與箱體絕緣，絕緣電阻不小于1000MΩ/500V（直流電）；IR≥1000MΩ/500V　箱體接地裝置與箱體之間耐電壓不小于3000V（直流電）/min不擊穿，無飛??；U≥3000V

使用方法：1）將光纜穿過“防水接頭”引入到箱體內(nèi)并開剝，開剝長度1.5米左右，并固定在“光纜固定裝置”上，光纜中的 芯預(yù)留100mm，固定在“光纜固定裝置”上的“接地壓板”下

光纜分纖箱又稱光纖分纖箱產(chǎn)品圖片介紹技術(shù)：

(1)聚合物(旋涂—刻蝕)

聚合物波導(dǎo)以硅片為稱底，以不同摻雜濃度的Polymer材料為芯層，波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為掩埋矩形。聚合物波導(dǎo)及器件制作工藝簡單，價(jià)廉，如果是光敏更好，制作較低(理論值)，很有發(fā)展前景。問題存在氟化材料高;老化疑慮、損耗會(huì)相對(duì)略高;產(chǎn)品的穩(wěn)定性上還需考慮其影響。目前僅上海NITTA公司有此芯片作的光分路器產(chǎn)品。

(2)二氧化硅

二氧化硅波導(dǎo)以硅片為稱底，以不同摻雜的SiO2材料為芯層和包層，波導(dǎo)結(jié)構(gòu)為掩埋矩形。硅基二氧化硅光波技術(shù)是20世紀(jì)90年代發(fā)展起來的新技術(shù)，國外已比較成熟。其制造工藝有火焰水解法(FHD)、化學(xué)氣相淀積法(PECVD,日本NEC公司開發(fā))、等離子CVD法(美國Lucent公司開發(fā))、多孔硅氧化法和熔膠-凝膠(Sol-gel)等。這種波導(dǎo)和損耗很小，約為0.05dB/cm以下。國外利用這種波導(dǎo)已研制出60路、132路的AWG。目前采用較多的是火焰水解法(FHD)、化學(xué)氣相沉積法(PECVD)進(jìn)行多層二氧化硅材料的生長，利用干法刻蝕技術(shù)完成波導(dǎo)刻蝕。其是具有非常好的物理和化學(xué)穩(wěn)定性技術(shù)，器件集成度高，低。同時(shí)與光纖之間有著很好的兼容性，傳輸損耗低，工藝成熟(主要依賴于設(shè)備的進(jìn)口)，產(chǎn)品 ，理論上還可以制作AWG等其他PLC器件。此工藝技術(shù)目前是芯片產(chǎn)品的制造主流技術(shù)，國際上比較普遍采用。問題存在設(shè)備投入高，而且維護(hù)高，原材料要求高(全部采用進(jìn)口材料);國內(nèi)僅有幾家科研院所及大學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備在線和武漢光迅科技二氧化硅PLC工藝線，還沒有可用于產(chǎn)業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)設(shè)備。此技術(shù)及制造基本上被韓國、日本等國外廠商壟斷。