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在2005年，一個制造廠（通常稱為半導體工廠，常簡稱fab，指fabrication facility）建設費用要超過10億美元，因為大部分操作是自動化的。
制造過程：芯片制作完整過程包括芯片設計、晶片制作、封裝制作、測試等幾個環節，其中晶片制作過程尤為的復雜。
是芯片設計，根據設計的需求，生成的“圖樣”芯片的原料晶圓，晶圓的成分是硅，硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導體的材料，將其切片就是芯片制作具體所需要的晶圓。
晶圓越薄，生產的成本越低，但對工藝就要求的越高。
晶圓涂膜，晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力，其材料為光阻的一種。
晶圓光刻顯影、蝕刻。
是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。
烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。
光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實現曝光，激發光化學反應。
對曝光后的晶圓進行第二次烘烤，即所謂的曝光后烘烤，后烘烤使得光化學反應更充分。
*后，把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上，對曝光圖形顯影。
顯影后，掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。
涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機中完成的，曝光是在光刻機中完成的。
勻膠顯影機和光刻機一般都是聯機作業的，晶圓通過機械手在各單元和機器之間傳送。
整個曝光顯影系統是封閉的，晶圓不直接暴露在周圍環境中，以減少環境中有害成分對光刻膠和光化學反應的影響
