Nand Flash電源完整性測試，Nand Flash時序測試，Nand Flash時鐘測試

Nand Flash信號完整性測試，Nand Flash電源完整性測試，Nand Flash時序測試，Nand Flash時鐘測試

兩種FLASH具有相同的存儲單元，工作原理也一樣，為了縮短存取時間并不是對每個單元進行單獨的存取操作，而是對一定數(shù)量的存取單元進行集體操作， NAND型FLASH各存儲單元之間是串聯(lián)的，而NOR型FLASH各單元之間是并聯(lián)的；為了對全部的存儲單元有效管理，必須對存儲單元進行統(tǒng)一編址。
NAND的全部存儲單元分為若干個塊，每個塊又分為若干個頁，每個頁是512byte，就是512個8位數(shù)，就是說每個頁有512條位線，每條位線下 有8個存儲單元；那么每頁存儲的數(shù)據(jù)正好跟硬盤的一個扇區(qū)存儲的數(shù)據(jù)相同，這是設(shè)計時為了方便與磁盤進行數(shù)據(jù)交換而特意安排的，那么塊就類似硬盤的簇；容 量不同，塊的數(shù)量不同，組成塊的頁的數(shù)量也不同。在讀取數(shù)據(jù)時，當(dāng)字線和位線鎖定某個晶體管時，該晶體管的控制極不加偏置電壓，其它的7個都加上偏置電壓 而導(dǎo)通，如果這個晶體管的浮柵中有電荷就會導(dǎo)通使位線為低電平，讀出的數(shù)就是0，就是1。
NOR的每個存儲單元以并聯(lián)的方式連接到位線，方便對每一位進行隨機存??；具有專用的地址線，可以實現(xiàn)一次性的直接尋址；縮短了FLASH對處理器指令的執(zhí)行時間。

五、性能
1、速度
在寫數(shù)據(jù)和擦除數(shù)據(jù)時，NAND由于支持整塊擦寫操作，速度比NOR要快得多，兩者相差近千倍；讀取時，由于NAND要先向芯片發(fā)送地址信息進行 尋址才能開始讀寫數(shù)據(jù)，而它的地址信息包括塊號、塊內(nèi)頁號和頁內(nèi)字節(jié)號等部分，要順序選擇才能定位到要操作的字節(jié)；這樣每進行一次數(shù)據(jù)訪問需要經(jīng)過三次尋 址，至少要三個時鐘周期；而NOR型FLASH的操作則是以字或字節(jié)為單位進行的，直接讀取，讀取數(shù)據(jù)時，NOR有明顯優(yōu)勢。
2、容量和成本
NOR型FLASH的每個存儲單元與位線相連，增加了芯片內(nèi)位線的數(shù)量，不利于存儲密度的提高。在面積和工藝相同的情況下，NAND型FLASH的容量比NOR要大得多，生產(chǎn)成本更低，也更容易生產(chǎn)大容量的芯片。
3、易用性
NAND　FLASH的I/O端口采用復(fù)用的數(shù)據(jù)線和地址線，必須先通過寄存器串行地進行數(shù)據(jù)存取，各個產(chǎn)品或廠商對信號的定義不同，增加了應(yīng)用的難 度；NOR FLASH有專用的地址引腳來尋址，較容易與其它芯片進行連接，還支持本地執(zhí)行，應(yīng)用程序可以直接在FLASH內(nèi)部運行，可以簡化產(chǎn)品設(shè)計。
4、可靠性
NAND FLASH相鄰單元之間較易發(fā)生位翻轉(zhuǎn)而導(dǎo)致壞塊出現(xiàn)，是隨機分布的，如果想在生產(chǎn)過程中消除壞塊會導(dǎo)致成品率太低、性價比很差，在出廠前要在高 溫、高壓條件下檢測生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的壞塊，寫入壞塊標(biāo)記，防止使用時向壞塊寫入數(shù)據(jù)；但在使用過程中還難免產(chǎn)生新的壞塊，在使用的時候要配合 EDC/ECC(錯誤探測/錯誤更正)和BBM(壞塊管理)等軟件措施來保障數(shù)據(jù)的可靠性。壞塊管理軟件能夠發(fā)現(xiàn)并更換一個讀寫失敗的區(qū)塊，將數(shù)據(jù)復(fù)制到 一個有效的區(qū)塊。
5、耐久性
FLASH由于寫入和擦除數(shù)據(jù)時會導(dǎo)致介質(zhì)的氧化降解，導(dǎo)致芯片老化，在這個方面NOR尤甚，并不適合頻繁地擦寫，NAND的擦寫次數(shù)是100萬次，而NOR只有10萬次。