DDR3與DDR2的差異
數(shù)據(jù)傳輸速率的差異是DDR3與DDR2=顯著的區(qū)別，這部分上文已有描述，我們來看看其他方面的不同。
在供電方面，DDR3的工作電壓降低至1.5V，實際上JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定1.575V為DDR3的安全工作電壓。另外，標(biāo)準(zhǔn)也規(guī)定內(nèi)存條所能經(jīng)受的安全供電電壓必須大于1.975V，當(dāng)然，在這個電壓下內(nèi)存條可能已經(jīng)不能正常工作但還不至于損壞。
在芯片級DDR3引入了異步Reset信號，該信號主要提供兩方面的功能，其一是可以簡化內(nèi)存芯片上電后的初始化過程，其二是當(dāng)內(nèi)存系統(tǒng)進入一旦進入未知或不可控狀態(tài)后可以直接Reset而無需掉電重啟。
在接口方面，以普通的Un-Buffer內(nèi)存條為例，DDR3與DDR2均為240個pin腳，尺寸一致但防呆槽的位置不同，由于工作電壓不同二者在電氣特性上也是互不兼容的。
在系統(tǒng)設(shè)計方面DDR3與DDR2的區(qū)別在于DDR3將時鐘、地址及控制信號線的終端電阻從計算機主板移至內(nèi)存條上，這樣一來在主板上將不需要任何端接電阻。為了盡可能減小信號反射，在內(nèi)存條上包括時鐘線在內(nèi)的所有控制線均采用Fly-by拓撲結(jié)構(gòu)。同時，也是因為Fly-by的走線結(jié)構(gòu)致使控制信號線到達每顆內(nèi)存顆粒的長度不同從而導(dǎo)致信號到達時間不一致。這種情況將會影響內(nèi)存的讀寫過程，例如在讀操作時，由于從內(nèi)存控制器發(fā)出的讀命令傳送到每顆內(nèi)存芯片的時間點不同，將導(dǎo)致每顆內(nèi)存芯片在不同的時間向控制器發(fā)送數(shù)據(jù)。為了消除這種影響，需要在對內(nèi)存進行讀寫等操作時對時間做補償，這部分工作將由內(nèi)存控制器完成。DDR3總線的系統(tǒng)框架如下圖所示，其中紅線代表DQ、DM以及差分DQS信號線，黑線代表時鐘、地址及控制信號線，T代表相應(yīng)的端接電阻。
