?XPS表面元素分析檢測(cè)

 XPS測(cè)試原理是什么？

   XPS測(cè)試原理就是藉由光電效應(yīng)，當(dāng)X光照射至樣品內(nèi)部時(shí)，原子內(nèi)層的電子將被激發(fā)產(chǎn)生光電子，而只有靠近材料表面的光電子才能逃離被儀器測(cè)得。藉由分析此光電子，可得知表面元素組成種類，進(jìn)而判斷化學(xué)鏈結(jié)。

 XPS測(cè)試應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？

1．表面污染/變色之成份分析(Surface Survey) : 樣品表面100A以內(nèi)的成份分析。

2．表面化學(xué)組態(tài)分析 (Narrow Scan) : 樣品表面100A以內(nèi)的元素化學(xué)組態(tài)鍵結(jié)分析。

3．樣品氧化狀況(氧化層厚度及氧化態(tài))分析。

4．多層薄膜縱深分析 (Depth Profile) : 藉由Ar 離子濺蝕樣品的表面，得到不同深度的元素信號(hào)之縱深分布。

5．圖譜分析(Mapping) : 分析樣品區(qū)域元素信號(hào)，得到區(qū)域元素分布影像圖。

6．線掃描(Line Scan): 分析樣品直線上的元素信號(hào)，得到直線元素分布圖。

7．針對(duì)樣品表面更細(xì)微的結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)態(tài)分析(Chemical State Analysis)、縱深分析(Depth Profile)，滿足科研、教學(xué)、企業(yè)內(nèi)部質(zhì)量控制、企業(yè)產(chǎn)品研發(fā)等目的。

8．

XPS設(shè)備技術(shù)參數(shù)及測(cè)試能力？
1、X射線源：?jiǎn)紊疉l Kα射線源，可實(shí)現(xiàn)樣品表面聚焦及掃描（10μm~1400μ×1400μm）；
2、測(cè)試：可實(shí)現(xiàn)低工作功率（1~100W）、小角度（分辨率≤±1°）、溫度可調(diào)控（-120℃~500℃）原位測(cè)試；
3、Ar離子槍+Ar團(tuán)簇離子槍：滿足金屬、陶瓷、有機(jī)聚合物、復(fù)合材料、半導(dǎo)體材料及器件等樣品表面刻蝕、深度剖析；
4、紫外光源UPS：價(jià)帶、功函數(shù)測(cè)試（標(biāo)樣優(yōu)于120 meV）；
5、雙束中和系統(tǒng)：獨(dú)立調(diào)節(jié)電子束（低至1~2eV）和離子束，高質(zhì)量獲譜（PET中O=C-O中C1s  FWHM ≤ 0.85eV）；
6、Al/Mg雙陽(yáng)極可滿足準(zhǔn)確的峰位信息辨別需求；
7、多路氣體、高低溫（-196℃~800℃）準(zhǔn)原位化學(xué)反應(yīng)。

XPS測(cè)試注意事項(xiàng)有哪些？

1、放射性、具有磁性的樣品、在X光照射下會(huì)分解的樣品，不能進(jìn)行測(cè)試； 2、樣品尺寸：厚度小于5mm；長(zhǎng)寬在10mm X10mm以內(nèi)；需刻蝕和深剖的樣品**是塊體 3、樣品用量：粉末樣品原則上越細(xì)越好，5mg左右即可；對(duì)于塊狀（不規(guī)則形狀時(shí)）樣品，需要送樣人將樣品加工成片狀，上下兩面**互為平行面。 4、樣品需提前干燥，保護(hù)測(cè)試面，避免測(cè)試面被污染。 5、送樣時(shí)請(qǐng)注明姓名，聯(lián)系，樣品個(gè)數(shù)以及測(cè)試要求等。

 XPS測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)預(yù)約請(qǐng)致電：

Helen  尹海英

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