HN1000B 斷路器剩余電流保護(hù)器動(dòng)作特性測(cè)試儀（分A型AC型B型F型）
B型剩余電流斷路器測(cè)試儀（以下簡(jiǎn)稱測(cè)試儀）是為剩余電流斷路器的性能測(cè)試而研制，它是檢測(cè)B型剩余電流斷路器脫扣電流和分?jǐn)鄷r(shí)間的關(guān)鍵儀器。
測(cè)試儀適用于電子式和電磁式的剩余電流斷路器。
1P+N、2P、、+N、4P的斷路器均能測(cè)試，輸出大剩余電流為2A。
系統(tǒng)顯示和操作采用流行的工業(yè)級(jí)觸摸屏，操作簡(jiǎn)單；
接地方式：可靠接地
測(cè)試儀輸出的電流值為真有效值，測(cè)試不確定度小于1%；
（2）50Hz交流剩余電流范圍：0~2A；
選項(xiàng)角為0°的脈動(dòng)直流剩余電流，電流的范圍為0~800mA；
選項(xiàng)角為135°的直流剩余電流，電流的范圍為0~200mA；
（5）疊加平滑直流的范圍為5~100mA；
先測(cè)試出可控硅的峰值電壓，將電線正負(fù)極連接至K兩極，接地線接至室內(nèi)主接地上，逐漸升壓，測(cè)試其漏電流數(shù)值。
進(jìn)行漏電測(cè)試后，逐漸升壓，觀測(cè)漏電流，當(dāng)數(shù)值超過(guò)其額定峰值電壓后，可控硅被擊穿，但采用此方法可能會(huì)破壞其PN結(jié)，并且只能測(cè)試其是否導(dǎo)通，而不能測(cè)試其導(dǎo)通是否良好，故不再采用此法進(jìn)行測(cè)試。
搖表測(cè)試法用搖表對(duì)可控硅進(jìn)行測(cè)量，參照之前使用的漏電檢測(cè)法。
為防止搖表法測(cè)試過(guò)程中擊穿或損壞可控硅，改變搖表操作方法，即要對(duì)搖表電壓和轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制，兩筆端鏈接K極對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。
LTE測(cè)試雖進(jìn)步顯著未來(lái)仍面臨三重關(guān)互操作測(cè)試任務(wù)仍艱巨三大運(yùn)營(yíng)商3G網(wǎng)絡(luò)已完成大規(guī)模建設(shè)，新部署的LTE網(wǎng)絡(luò)在較長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)難以達(dá)到2G/3G網(wǎng)絡(luò)的覆蓋廣度和深度，且VoLTE目前還不夠成熟，LTE與2G/3G網(wǎng)絡(luò)不能孤立運(yùn)行，必須通過(guò)互操作來(lái)保證業(yè)務(wù)在網(wǎng)絡(luò)之間的連續(xù)性。
LTE與2G/3G的互操作包括語(yǔ)音互操作和數(shù)據(jù)互操作。
以移動(dòng)為例，對(duì)于數(shù)據(jù)互操作，不僅要求TD-LTE與TD-SCDMA之間實(shí)現(xiàn)空閑態(tài)的雙向重選、連接態(tài)的雙向重定向，還要求TD-LTE與GSM網(wǎng)間實(shí)現(xiàn)互操作以保證業(yè)務(wù)連續(xù)性，復(fù)雜的切換場(chǎng)景對(duì)測(cè)試工作而言是艱巨的挑戰(zhàn)。
關(guān)于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細(xì)梳理一下，也許對(duì)于您的知識(shí)系統(tǒng)更加。
下面是對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)其中參考了一些資料。
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，電壓等，電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。
這樣的電路也許是可以工作的，但并不是的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。
