艾諾斯華達(dá)蓄電池NP120-12 12V120AH規(guī)格及參數(shù)說明

艾諾斯華達(dá)蓄電池NPV120AH規(guī)格及參數(shù)說明

艾諾斯華達(dá)蓄電池NPV120AH規(guī)格及參數(shù)說明

產(chǎn)品特點 ：

■免維護(hù)：

·采用獨特的氣體再化合技術(shù)（GAS RECOMBINATION），不必定期補液維護(hù)，減少用戶使用的后顧之憂。

■安全可靠性高：

·采用全自動的安全閥（VRLA），能防止氣體被吸入蓄電池影響其性能，同時也可防止因充電等所產(chǎn)生的氣體造成內(nèi)壓異常而損壞蓄電池。全密閉蓄電池在正常浮充下不會有電解液及酸霧排出。同時，采用自主技術(shù)的蓄電池托盤與蓄電池配套使用，確保蓄電池組使用更加安全。

■使用壽命長：

·在20℃環(huán)境下，小型密封電池浮充壽命可達(dá)3～5年，F(xiàn)M固定型密封電池浮充壽命可達(dá)8～10年，F(xiàn)ML系列電池浮充壽命可達(dá)10年，F(xiàn)MH系列電池浮充壽命可達(dá)10年，GFM系列電池浮充壽命可達(dá)15年。

■自放電率低：

·采用特種鉛鈣多元合金，對隔板、電解液及各生產(chǎn)工序的雜質(zhì)進(jìn)行嚴(yán)格控制，在20℃的環(huán)境下，KOKO蓄電池在6個月內(nèi)不必補充電能即可正常使用。

■導(dǎo)電能力強

·采用銅芯鍍銀端子及特別設(shè)計，保證電氣性能。

■適應(yīng)環(huán)境能力強：

·可在-20℃～+50℃的環(huán)境溫度下使用，適用于沙漠、高原性氣候?？捎糜诜辣﹨^(qū)的特殊電源。

■方向性強：

·特別隔膜（AGM）牢固吸附電解液使之不流動。電池?zé)o論立放或臥放均不會泄露，保證了正常使用。

■綠色無污染：

·靜音、且無污染物排出。蓄電池房無需用耐酸防腐措施，可與電子儀器等設(shè)備同置一室。

■全新電池具有更長的使用壽命及深循環(huán)特性

·采用鉛錫多元特殊正極合金，比傳統(tǒng)的鉛鈣合金耐腐性更強，循環(huán)壽命更優(yōu)越。

電池安裝注意事項

1、 因該電池系濕荷電態(tài)出廠，在運輸、安裝過程中，必須小心搬運，防止短路。

2、 由于電池組件的電壓較高，存在危險，因此在裝卸導(dǎo)電連線時，應(yīng)使用帶絕緣包扎的工具;安裝或搬運電池時，要戴絕緣手套、圍裙和防護(hù)眼鏡;電池在搬運過程中，防止碰撞沖擊，不得扭動端柱和安全排氣閥。嚴(yán)禁將工具、雜物或其它導(dǎo)電物品放在電池上。

3、 臟污的接線端子或連接不牢均可能引起電池打火，所以要保持接線端子連接處的清潔，并擰緊專用連接電纜（或銅排），使扭矩達(dá)到不同連接端子的規(guī)定值。操作時不得對端子產(chǎn)生非緊固所必須的其它應(yīng)力。

4、 電池之間、電池組之間以及電池組與電源設(shè)備之間的連接應(yīng)合理方便、電壓降盡量小。不同規(guī)格、不同批次、不同廠家的蓄電池不能混用。安裝末端連接件和接通電池系統(tǒng)前，應(yīng)認(rèn)真檢查電池系統(tǒng)的總電壓和正、負(fù)極性連接是否正確，電池間連接是否牢固。

5、 電池安裝過程中要避免電池短接或接地。蓄電池組與充電器或負(fù)載連接時，應(yīng)將電池組中一個端子導(dǎo)電連線斷開，充電器或負(fù)載電路開關(guān)應(yīng)位于“斷開”位置，以防止短路，并保證連接正確，蓄電池的正極與充電器的正極連接，負(fù)極與負(fù)極連接。

6、 電池外殼不能使用有機溶劑清洗，不能使用二氧化碳滅火器撲滅電池火災(zāi)，應(yīng)配備專用干粉滅火器具。

7、 蓄電池是濕荷電態(tài)出廠，安裝使用前請逐只檢查單體電池的開路電壓，正常情況下應(yīng)不低于2.08V/單體。若低于此值，需補充電后再使用。

8、 電池安裝使用前，請逐只檢查每只電池安全閥是否牢固，若有松動，應(yīng)立即旋緊。

9、 與單體電池連接的系統(tǒng)可能有高電壓，安裝時應(yīng)注意避免危險。

　芯片產(chǎn)業(yè)鏈分為IC設(shè)計、IC制造、IC封測三大環(huán)節(jié)?，F(xiàn)在自主技術(shù)逐步解決了IC設(shè)計，比如龍芯，海光，華為鯤鵬等。在IC制造環(huán)節(jié)，近些年來也有長足進(jìn)步，已經(jīng)擠進(jìn)了頭部玩家俱樂部，但仍然只是在底部徘徊。具體來說，IC制造領(lǐng)域關(guān)鍵的設(shè)備是光刻機，目前基本被荷蘭ASML、日本尼康和佳能、中國上海微電子把持。其中，ASML壟斷了高端領(lǐng)域幾乎的市場，其產(chǎn)品高已經(jīng)可以實現(xiàn)2nm制程，中低端市場則屬于日本的尼康和佳能，上海微電子的光刻機目前僅能實現(xiàn)90nm工藝制程，到2021年才能推出28nm制程，差距之大可見一斑。
　　
　　在IC封測環(huán)節(jié)，目前我國的發(fā)展較快，據(jù)相關(guān)分析顯示，中國大陸IC封測廠商已可量產(chǎn)系統(tǒng)級封裝(SiP)、扇出型封裝(Fan-out)、覆晶封裝(FlipChip；FC)以及硅穿孔(TSV)等先進(jìn)封裝技術(shù)。除此之外，受惠艾諾斯華達(dá)蓄電池NPV120AH規(guī)格及參數(shù)說明于自主可控政策，以及5G等新興應(yīng)用對電子設(shè)備功能更多元、性能更高需求推動，中國的芯片IC封測企業(yè)近年來在技術(shù)和營收方面也都出現(xiàn)了可喜的發(fā)展趨勢。客觀來說，中國的自主可控芯片已經(jīng)初具雛形，產(chǎn)業(yè)鏈正在逐步完備。但與美國相比，差距仍然很大。