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        半導體展覽會-碼住!6月芯機不容錯過!2024年第6屆半導體展會盛大開展

        半導體展: 國際展
        單價: 面議
        發貨期限: 自買家付款之日起 天內發貨
        所在地: 河南 鄭州
        有效期至: 長期有效
        發布時間: 2023-11-27 00:54
        最后更新: 2023-11-27 00:54
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        2024半導體展會丨半導體材料展會丨半導體設備展會丨2024半導體展會

        在目前這個環境下,半導體發展的前景是可以得到認可的,它是電子信息產業中不可忽視的一環,而電子信息產業正是目前的中心產業,該產業的社會整體價值一直在增長,目前,產業已經屬于一個行業整體發展中的較高階段之中,未來發展前景大有可觀。

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        2024年6月26-28日

        深圳國際會展中心

        2024年第6屆半導體展會
        積極響應國家發展改革委、工業和信息化部、財政部、海關總署、國家稅務總局五部門聯合發文要求關于做好享受稅收優惠政策的集成電路企業或項目、軟件企業清單制定工作的通知。通過促進提升創新能力,推動半導體制造國產化,推進半導體產業高質量發展。根據10月8日深圳市發展和改革委員會發布《深圳市關于促進半導體與集成電路產業高質量發展的若干措施》稿

        SEMI-e 2024深圳國際半導體技術暨應用展將于2024年6月26-28日,在深圳國際會展中心舉行。由中國通信工業協會、深圳市半導體行業協會、廣東省集成電路行業協會、聯合主辦。

        全球經濟回暖將刺激半導體行業的高速發展。面對著社會局勢的快速改變,社會經濟的極大進步和互聯網設備,云計算,電子商務等行業的高速發展,需要的就是智能產品的支持,在良好的經濟環境下,消費者對于電子產品的要求更高,不僅要求美觀,還要求輕便,功能多樣,而大多數電子產品都需要用半導體,也就是說,在未來很長一段時間,半導體都將是一個永恒的話題。

        中國智能制造業的崛起和全球半導體電子產業從垂直結構向水平結構轉變、價值鏈分工的日益細化,中國正在成為全球半導體制造的主要生產基地之一,并由此促進了中國半導體產業的快速成長。為提升半導體行業發展,充分展示半導體行業的前沿裝備技術,積極推動半導體業界的交流互動,強化半導體行業的交流意識、合作意識,實現相互促進、共同發展,

        2024第五屆深圳國際半導體技術展覽會將于2024年6月26-28日在深圳國際會展中心隆重召開,為半導體行業搭建全方位展示與交流平臺。

        展示范圍
        一、電子元器件展區:無源器件、半導體分立器件/ IGBT 5G核心元器件特種電子、元器件、電源管理、傳感器、儲存器、連接器繼電器、線纜、接插器件、晶振、電阻、電位器磁性元件、濾波元件、PCB板、電機風扇電聲器件、顯示器件、二**管、三**管濾波元件、開關及元器件材料及設備等
        二、IC設計、芯片展區:IC及相關電子產品設計、人工智能芯片、電源管理芯片、物聯網芯片、5G通信芯片及方案、汽車電子芯片、安全控制芯片、數模混合通訊射頻芯片、存儲芯片、LED照明及顯示驅動類芯片等
        三、半導體設備展區:減薄機、單晶爐、研磨機、熱處理設備、光刻機 、刻蝕機、離子注入設備、CVD/PVD設備、固晶機、等離子清洗設備、切割機、裝片機、鍵合機、焊線機、回流焊,波峰焊、測試機、分選機、耦合機、載帶成型機、檢測設備、恒溫恒濕試驗箱、傳感器、封裝模具、測試治具、精密滑臺、步進電機、閥門、探針臺、潔凈室設備、水處理等
        四、第三代半導體專區:第三代半導體碳化硅SiC、氮化鎵GaN、晶圓、襯底、封裝、測試、光電子器件(發光二**管LED、激光器LD、探測器紫外)、電力電子器件(二**管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射頻器件(HEMT、MMIC)
        五、晶圓制造及封裝展區:晶圓制造、SiP先進封裝、OSATs、EMS、OEMs、IDM、硅晶圓及IC封裝載板、印制電路板、封裝基板和設備及組裝和測試等、封裝設計、測試、設備與應用制造與封測、EDA、MCU、印制電路板、封裝基板半導體材料與設備
        六、半導體材料展區:硅晶圓、硅晶片、光刻膠、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、CMP拋光材料、光阻材料、濕電子化學品、濺射靶材、封測材料、切片、磨片、拋光片、薄膜等

        組委會努力全方位打造展會宣傳渠道,將高效利用傳統電視媒體、報刊、雜志、網絡媒體、、微博等新興自媒體,不斷引爆企業參展熱情。展會官方平臺現在已有龐大粉絲,形成互動、及時分享展會及行業信息,擴大展會的宣傳及影響力度與深度。

        由于SiC的技術、資金門檻都很高,且目前單晶生長緩慢、品質不夠穩定,導致生產出的SiC晶圓良率不高、成本相對高,新入局的SiC晶圓廠商普遍處于虧損狀態。

          美國、日本、歐洲在SiC領域起步早,6英寸碳化硅襯底已經量產,8英寸已研制成功,僅Cree一家便占據了SiC襯底市場約40%份額。

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          據業內人士表示,國內SiC襯底廠商主要天科合達、河北同光、山東天岳、中科節能等,產品以4英寸為主,6英寸尚處在攻關階段,質量相對薄弱。在外延方面,國內廠商主要有東莞天域、瀚天天成等,部分公司已能提供4、6英寸碳化硅外延片,針對1700V及以下的器件用的外延片已比較成熟,但對于高質量厚外延的量產技術主要還是國外的Cree、昭和電工等少數企業具備。


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